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超聲波攪拌器,超聲波納米材料分散攪拌器

簡要描述:超聲波攪拌器,超聲波納米材料分散攪拌器主要應用: 1、中藥提取,細胞,細菌,病毒組織的破碎/裂解。例如細胞內含物的萃取,抽取蛋白質, 核酸,修剪DNA,RNA等。 2、納米材料技術的研究。
3、物質顆粒的分散、勻質化,以及產品的乳化。例如納米材料的分散。 4、加速溶解,加速化學反應。例如用于化學合成。 5、染色質免疫沉淀技術。 6、其他應用領域。

  • 產品型號:HDG-3000
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-04-08
  • 訪  問  量:2026
詳情介紹

主要應用: 1、中藥提取,細胞,細菌,病毒組織的破碎/裂解。例如細胞內含物的萃取,抽取蛋白質,  核酸,修剪DNARNA等。 2、納米材料技術的研究。

3、物質顆粒的分散、勻質化,以及產品的乳化。例如納米材料的分散。 4、加速溶解,加速化學反應。例如用于化學合成。 5染色質免疫沉淀技術。 6其他應用領域。 

超聲波分散納米材料:

超聲分散是將需處理的顆粒懸浮液直接置于超聲場中,用大功率的超聲波加以“照射”處理,是一種強度很高,效果的分散手段。

超聲分散機理

v     首先,超聲波的傳播需以介質為載體的

v     超聲波在介質中的傳播存在一個正負壓的交變周期,介質在膠體的正負壓強下收到擠壓和牽拉

v     超聲波作用于介質液體時,在負壓區內介質分子間的距離會超過液體介質保持不變的的臨界分子距離,液體介質就會發生斷裂,形成微泡,微泡長大變成空化氣泡。

v     氣泡可重新溶解于氣體中,也可上浮并消失,也可能脫離超聲場的共振相位而潰陷。

v     這種空化氣泡在液體介質中產生、潰陷或消失的現象。

v     空化作用會產生局部的高溫高壓,并產生巨大的沖擊力和微射流,納米粉體在其作用下,表面能被削弱,從而實現對納米粉體的分散作用。

超聲波分散法與常規機械分散法相比較

v     機械分散法可分為:

             研磨、普通球磨、振動球磨、膠體磨、空氣磨、機械攪拌等。

機械分散法,步驟多,所需設備多且復雜,而超聲波分散只需要一個電源一個振動棒即可。

v     機械粉碎極限問題:

  納米粉碎中,因細顆粒具有巨大的界面能,顆粒間范德華力較強,隨粒子粒度的減小,顆粒間自動聚集的趨勢變大,分散作用與聚集作用達到平衡,粒徑不再變化。

      因此,粉碎到一定程度,粒徑不再減小或減小速率相當緩慢,這就是物料的機械粉碎極限。所以機械分散法不能把納米材料的真實粒徑還原出來,效果遠不如超聲波分散法。

超聲波納米材料分散的特點:

1、采用大功率聚焦式超聲波換能器,它具有振幅大,轉換效率高的特點。

2、大振幅超聲波通過探頭直接輸送到分散介質,分散效果明顯,大大的改變了以往采用的  

  球磨機的方式,需要大量的時間來分散。

3、探頭采用高強度鈦合金材料,耐酸耐堿,滿足在各種材料的體系中使用。

4、操作簡單,對處理材料無污染,有自清潔功能。

5、可連續循環處理納米材料的批量分散,使納米材料的應用走向市場。

6、帶溫控裝置,有效避免各種材料受溫度的影響

由于納米材料具有小尺寸效應,表面效應,量子尺寸效應,以及宏觀量子隧道效應,導致了其在熱、光、磁、敏感特性和表面穩定性等方面不同于常規粒子。如何使納米粒子均勻的分散到基體中,就成納米材料技術的關鍵技術問題之一。使用超聲波的空話效應使納米團聚的納米顆粒是目前***有效的的物理方法。它是將需要處理的顆粒懸浮液超聲波聲場中,利用適當的超聲波振蕩和作用時間加以處理,我公司的超聲波納米分散器,分散效果佳,功耗小,一次投入,長久使用,能大大改善納米材料的性能,提升產品競爭實力。成為國內外各大材料化學廠家的*工具。

產品優點:

1.聚合物均質處理所需時間短。

2.技術資金需要小;

3.處理時對周圍環境沒有影響;

4.超聲波是物理的,不產生第二次污染;

5.設備結構簡單,操作方便。

類別

實驗級

工業級

 
 

型號

HDS20-1000

HDS28-500

HDS40-300

HDG28-1000

HDG20-1000

HDG20-1500

HDG20-2000

HDG20-3000

 

頻率

20K

28K

40K

28K

20K

 

功率

1000

500

300

1000

1000

1500

2000

3000

 

處理量

2L

1L

1L

2L

4L

6L

8L

10L

 

重量

12.5

15

16

17

22.5

 

zui高壓力

常壓

30MP可定制

 

zui高溫度

120

300

 

工具頭形狀

柱形,可定制

根據客戶要求可定制

 

輸入電壓

220±10%V

 
            

 

 

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